MOSFET专利转让_购买MOSFET专利
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发明专利发明专利
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一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号:2024116394524
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发明专利发明专利
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一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件
专利号:2022105063124
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发明专利发明专利
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一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件
专利号:2024116079572
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发明专利发明专利
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一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件
专利号:2025103480189
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发明专利发明专利
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一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件
专利号:2025103480210
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发明专利发明专利
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一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号: 2024116394524
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发明专利发明专利
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用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法
专利号:CN201711135993.3
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发明专利发明专利
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一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法
专利号:CN201810447829.4
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发明专利发明专利
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含半绝缘区的MOSFET及其制备方法
专利号:CN201810447368.0
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发明专利发明专利
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一种智能遥控MOSFET电力电子交流开关装置
专利号:2018108980472
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发明专利发明专利
一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型
专利号:2023117149830
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发明专利发明专利
场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型
专利号:2023117105620
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发明专利发明专利
SiC MOSFET寿命预测方法、装置、设备和介质
专利号:2025117681963
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关于「MOSFET」专利转让
「MOSFET」是当前技术创新与产业升级中的热门方向。购买该领域的专利, 能够帮助企业快速获取核心技术成果、缩短研发周期,并在高新技术企业认定、科技项目申报、招投标加分等场景中占据优势。
专利买卖网平台收录的「MOSFET」专利,均来自正规渠道并完成权属核验。 我们的专业顾问可协助您完成从选品、法律尽调、合同签订到国家知识产权局著录项目变更(过户)的全流程服务, 确保交易合规、安全、高效。如需了解某件专利的详细技术内容、价格或转让流程,欢迎随时在线咨询。
「MOSFET」专利转让常见问题
购买「MOSFET」专利要多少钱?
本站精选「MOSFET」领域相关专利5件,价格透明、明码标价。发明专利一般 1 万元起,实用新型 3000 元起,具体以专利详情页标注为准,平台担保交易不成功退款。
「MOSFET」专利能用于高企认定吗?
可以。「MOSFET」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权(Ⅰ类),实用新型可作为辅助知识产权(Ⅱ类)。本站支持筛选「已报高企」专利,购买后即可用于申报。
「MOSFET」专利转让流程是怎样的?
选中心仪专利后,与本站签订转让协议,平台协助办理国家知识产权局著录项目变更(过户),全程约 1-3 个月,转让不成功全额退款,专业顾问一对一跟进。
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