MOS专利转让_购买MOS专利

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一种木质素微波辅助催化解聚用FeMoS催化剂的制备方法及应用

一种氮掺杂多孔碳负载MoS2纳米花的电极材料及制法

基于铁泡沫原位制备Ni-Fe7S8/MoS2异质结纳米材料的方法及应用

一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件

一种刀剪用NbCr2/MoSi2梯度材料（需要二变）

一种刀剪用NbCr2/MoSi2梯度材料的制备方法（需要二变）

凹凸棒石/g-CN/MoS异质结复合材料、制备方法和用途

一种双功能MoS2/ZnO复合材料在双酚A痕量检测中的应用

一种MoS2/Cu2S/MoO3三元复合材料及其在析氢和痕量检测中的应用

一种多光谱摄像装置（成像CMOS器件医疗图像穿刺）（企业资源勘察、农业、环境监测、文物保护、医学、林业监测‌ 考古）（特价）

一种Co/C/MOS复合微波吸收材料的制备方法

3D分级花状MoS2@CoMoS4 Z型异质结构光电催化剂及其制备方法和应用

一种融合多因素的MOS风暴潮过程灾害模拟方法

片层微米花状MoS2/Ni3S2/NiFe-LDH/NF材料及其合成方法和应用（高校材料科学→电催化材料→新能源电解技术）

一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法

一种纳米杂化MoS2/Mo2CTx复合材料及其合成方法与应用（需要二变）

一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法

一步法制备单层MoS|/WS|双组份梯度材料的方法

贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法

贵金属@COFs@MOS@碳空心纳米球复合薄膜、传感器及其制备方法

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一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型

场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型

一种非晶态MoS2修饰CoS/Co085Se异质纳米管阵列电催化剂的制备方法

一种基于FabricMosaic与改进细粒度特征提取网络的瑕疵检测方法及装置

SiC MOSFET寿命预测方法、装置、设备和介质

碳/碳复合材料表面制备Glass-MoSi2 @Y2 O3 -SiC抗氧化涂层的方法

一种碳/碳复合材料表面Glass-MoSi2-SiC复合抗氧化涂层的制备方法

碳/碳复合材料Glass-MoSi2/Y2O3-SiC复合抗氧化涂层的制备方法

一种原位自增韧棒状包覆MoSi2/Y2O3粉体及其制备方法

具有三维结构的N掺杂石墨烯柔性基底固定多孔MoS2纳米材料及其制备方法和应用

双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统

一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法

一种碳纤维增强MoSi2-SiC陶瓷基复合材料的制备方法

一种电线结构碳纤维/MoS2/MoO2柔性电极材料及其制备方法

一种MoS2-xOx/碳负极材料及其制备方法

一种碳修饰MoS2/MoO2双相复合材料及其制备方法

一种C/C-MoSi2-Mo5Si3-SiO2复合材料的制备方法

专利号：2016103940408

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关于「MOS」专利转让

「MOS」是当前技术创新与产业升级中的热门方向。购买该领域的专利，能够帮助企业快速获取核心技术成果、缩短研发周期，并在高新技术企业认定、科技项目申报、招投标加分等场景中占据优势。

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「MOS」专利转让常见问题

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可以。「MOS」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权（Ⅰ类），实用新型可作为辅助知识产权（Ⅱ类）。本站支持筛选「已报高企」专利，购买后即可用于申报。

「MOS」专利转让流程是怎样的？

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