MOS专利转让_购买MOS专利
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发明专利发明专利
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一种Bi0.5Na0.5TiO3/MoSe2复合催化剂的制备方法及其应用
专利号:2023116315994
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发明专利发明专利
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混合相1T2H MoSe2纳米片在压电催化中的应用
专利号:2022106958945
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1T2H MoSe2-Bi2WO6压电-光复合催化剂的应用
专利号:2021113753998
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一种MoS2@VS2@NiCo2O4三元光催化剂的制备方法及其应用
专利号:2019111728439
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一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路
专利号:2019108823777
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一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号:2024116394524
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一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件
专利号:2019100235635
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一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件
专利号:2020107313214
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一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件
专利号:2020114078613
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一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件
专利号:2021111392001
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一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件
专利号:2022105063124
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一种具有屏蔽效应的超结P柱和N-沟道的4H—SiC基VDMOS器件
专利号:2022105062653
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一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件
专利号:2022105177619
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一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件
专利号:2022113184775
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一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件
专利号:202310562730X
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一种具有低电阻与密勒电容的非对称沟槽SiC MOSFET器件
专利号:2024116079572
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一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件
专利号:2024116534411
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一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件
专利号:2025103480189
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一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件
专利号:2025103480210
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一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号: 2024116394524
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一种采用CMOS传输门的栅压自举开关电路
专利号: 2019108823777
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基于P-MoS2@CoP复合材料全水解催化剂制备方法(新能源、制氢)
专利号:2020109400310
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一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源
专利号:2022114935536
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一种基于TSV的积累型MOS变容二极管及其制备方法
专利号:2019104195181
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用氮和硼改善4H‑SiC MOSFET反型层迁移率的方法
专利号:CN201711135993.3
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一种提高UIS雪崩耐量的MOSFET及其制备方法
专利号:CN201810447829.4
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含半绝缘区的MOSFET及其制备方法
专利号:CN201810447368.0
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一种含半绝缘区的槽栅功率MOS晶体管及其制备方法
专利号:CN201810447385.4
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一种CdIn2S4纳米颗粒修饰少层MoS2纳米片复合光催化剂的制备方法
专利号:2019103585927
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一种CdS@Ti3C2 MXene-MoS2三元复合催化剂的制备方法和应用
专利号:2023102309023
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一种AgNPs/MoS<sub>2</sub>功能复合材料及其制备方法
专利号:2015100107037
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一种中空MoS2微球的制备方法及其应用
专利号:2019100850583
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一种MoS2/NiO空心微球材料、制备方法及应用
专利号:2019101818814
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一种亚波长光栅偏振器及制备方法
专利号:2017105627056
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一种MoS2/CNTs/C60复合光催化剂及其制备方法(高校环境修复清洁能源生产功能涂层与防污)(特价)
专利号:2017102698952
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一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法(半导体纳米材料 二硫化钼 芯片 电路板 集成电力 pcb板)
专利号:2023101063810
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一种智能遥控MOSFET电力电子交流开关装置
专利号:2018108980472
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搭载图像传感功能的基于VDMOS器件的三极管显示器
专利号:2021105802460
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一种应用于污水处理的SnO2-MoS2修饰石墨烯气凝胶及其制法
专利号:2021100642588
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发明专利发明专利
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MoS2-SnS2/PVIPS/PPy/GO纳米材料及其在电催化氮还原中的应用
专利号:2021110539583
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关于「MOS」专利转让
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可以。「MOS」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权(Ⅰ类),实用新型可作为辅助知识产权(Ⅱ类)。本站支持筛选「已报高企」专利,购买后即可用于申报。
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