IGBT专利转让_购买IGBT专利
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发明专利发明专利
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一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号:2024116394524
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发明专利发明专利
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一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件
专利号:2019100235635
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一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件
专利号:2019102139844
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一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件
专利号:2020107313214
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一种集成表面和体内反并联二极管的LIGBT器件
专利号:2021115063906
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一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件
专利号:2022105063124
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一种集成双自偏置MOS低关断损耗的RC-LIGBT器件
专利号:2022105177619
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一种集成自偏置PMOS的低功耗LIGBT器件
专利号:2022113184775
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一种集成辅助耗尽栅的低功耗RC-IGBT器件
专利号:2022113923813
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一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件
专利号:202310562730X
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一种引入深沟槽和自偏置PMOS的SOI-LIGBT器件
专利号:2024116534411
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一种自适应抑制SiIGBT和SiCMOSFET混合并联串扰的驱动电路
专利号: 2024116394524
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含半绝缘区的IGBT及其制备方法
专利号:CN201810447426.X
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一种提高短路鲁棒性的IGBT及其制备方法
专利号:CN201810447589.8
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一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件
专利号:2021110612659
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一种IGBT故障预测方法及装置
专利号:2025108472437
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IGBT模块的热管理方法及存储介质
专利号:2021105754683
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一种基于有源钳位反馈型的IGBT过流检测装置及方法(电力电子电路方法 绝缘栅双极性晶体管方法 晶圆晶体方法 半导体方法 芯片方法 集成电路方法 电路板方法 IGBT器件方法)
专利号:2018100411454
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一种SOI-LIGBT器件及其制备方法(南京邮电大学 直接变)
专利号:201710096610X
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一种具有集电极多晶硅电子通道的RC-IGBT器件
专利号:2020114815910
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一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件
专利号:2019108034992
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一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件
专利号:202010092899X
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一种具有多通道电流栓的SA-LIGBT器件
专利号:2019108776352
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一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法
专利号:2022111439318
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发明专利发明专利
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一种针对功率模块的散热及保护结构
专利号:2019110581668
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发明专利发明专利
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一种面向CETDC子模块IGBT开路故障的在线诊断方法及系统
专利号:2026105630236
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发明专利发明专利
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一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件
专利号:2019109547793
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实用新型实用新型
已报高企
一种IGBT半导体器件(功率半导体、电力电子、风力发电、高铁、动车牵引、电动汽车、大功率家电)
专利号:2020231099601
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实用新型实用新型
定金
一种双面散热半导体IGBT管(功率半导体、电力电子、变频器控制、工业电机、大功率开关电源、轨道交通牵引)
专利号:2021202142873
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发明专利发明专利
一种仿真型IGBT的失效机理分析系统
专利号:2020109905601
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关于「IGBT」专利转让
「IGBT」是当前技术创新与产业升级中的热门方向。购买该领域的专利, 能够帮助企业快速获取核心技术成果、缩短研发周期,并在高新技术企业认定、科技项目申报、招投标加分等场景中占据优势。
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「IGBT」专利转让常见问题
购买「IGBT」专利要多少钱?
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「IGBT」专利能用于高企认定吗?
可以。「IGBT」领域的发明专利可作为高企认定核心自主知识产权(Ⅰ类),实用新型可作为辅助知识产权(Ⅱ类)。本站支持筛选「已报高企」专利,购买后即可用于申报。
「IGBT」专利转让流程是怎样的?
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