一种便于检修的单晶硅压阻式压力传感器(半导体 硅传感器 晶体 医学 军事 航空航天 工业 汽车)

所属领域:实用新型 · 已下证
一种便于检修的单晶硅压阻式压力传感器(半导体 硅传感器 晶体 医学 军事 航空航天 工业 汽车)实用新型
专利号202321495024X
专利类型实用新型
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
IPC分类G01L 9/06 (2006.01)
申请日2023-06-13
公开日2023-12-12
申请人浙江中微自控设备有限公司
发明人杜永春;钱沈晓;李居金
专利权人浙江中微自控设备有限公司
授权公告号CN220170421U
高企状态未报高企

专利摘要

本实用新型涉及压阻式压力传感器领域,且公开了一种便于检修的单晶硅压阻式压力传感器,包括压力传感器外壳,压力传感器外壳侧壁对称分布的若干组支脚,压力传感器外壳顶部安装的顶盖板,顶盖板中心部设置的插筒,压力传感器外壳腔内底壁安装的单晶硅传感器芯以及顶盖板表面开设的矩形分布的盖板通孔,连接横杆,固设于垫环的侧壁,连接横杆远离垫环的一端固设有限位块;限位槽,设置于压力传感器外壳的上端口的内壁,且限位槽与限位块的位置对应。本实用新型采用顶盖板与压力传感器外壳的顶部可拆分设计,利用限定滑块与限定滑槽的滑动完成顶盖板与压力传感器外壳的结合,通过可拆分的设计,便于对内部单晶硅传感器芯的后续检修。


专利解读

《一种便于检修的单晶硅压阻式压力传感器(半导体 硅传感器 晶体 医学 军事 航空航天 工业 汽车)》是一实用新型,专利号为 202321495024X,当前法律状态为已下证,由浙江中微自控设备有限公司提出申请,发明人为杜永春;钱沈晓;李居金,申请日期为2023-06-13,公开(公告)日期为2023-12-12,国际专利分类号(IPC)为 G01L 9/06 (2006.01),高新资质:未报高企。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本实用新型涉及压阻式压力传感器领域,且公开了一种便于检修的单晶硅压阻式压力传感器,包括压力传感器外壳,压力传感器外壳侧壁对称分布的若干组支脚,压力传感器外壳顶部安装的顶盖板,顶盖板中心部设置的插筒,压力传感器外壳腔内底壁安装的单晶硅传感器芯以及顶盖板表面开设的矩形分布的盖板通孔,连接横杆,固设于垫环的侧壁,连接横杆远离垫环的一端固设有限位块;限位槽,设置于压力传感器外壳的上端口的内壁,且限位槽与限位块的位置对应。本实用新型采用顶盖板与压力传感器外壳的顶部可拆分设计,利用限定滑块与限定滑槽的滑动完成顶盖板与压力传感器外壳的结合,通过可拆分的设计,便于对内部单晶硅传感器芯的后续检修。


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