一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。

《一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途》是一发明专利，专利号为 2017101016439，当前法律状态为已下证，由江苏理工学院提出申请，发明人为胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君，公开（公告）日期为2019-02-19，国际专利分类号（IPC）为 H01L45/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y10/00(2011.01)I，代理机构为常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：用于信息存储的相变材料技术。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。

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