一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法

本发明提供一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法，所述制备方法包括：硅片表面预处理步骤，将硅片进行表面腐蚀预处理，得到处理后的硅片；晶种生长步骤，将晶种溶液加入生长溶液中，对混合液进行搅拌，再静置，得到金纳米颗粒溶液；制备金纳米颗粒掩模，将金纳米颗粒溶液旋涂至处理后的硅片表面，干燥后，金纳米颗粒经自组装平铺在处理后的硅片表面，得到具有金纳米颗粒掩模的硅片；反应离子刻蚀，将具有金纳米颗粒掩模的硅片放置在刻蚀气体气氛中进行反应离子刻蚀，再经超声水洗，得到具有锯齿状结构的高效绒光面。所述制备方法操作简单的，成本较低，适合大规模生产；制备得到的陷光绒面性能较好。

《一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法》是一发明专利，专利号为 2018106605275，当前法律状态为已下证，由江苏理工学院提出申请，发明人为朱圣清;王欣;向萌;刘晨;刘海霞，公开（公告）日期为2020-11-20，国际专利分类号（IPC）为 H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I，代理机构为常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：太阳能电池增效技术。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法，所述制备方法包括：硅片表面预处理步骤，将硅片进行表面腐蚀预处理，得到处理后的硅片；晶种生长步骤，将晶种溶液加入生长溶液中，对混合液进行搅拌，再静置，得到金纳米颗粒溶液；制备金纳米颗粒掩模，将金纳米颗粒溶液旋涂至处理后的硅片表面，干燥后，金纳米颗粒经自组装平铺在处理后的硅片表面，得到具有金纳米颗粒掩模的硅片；反应离子刻蚀，将具有金纳米颗粒掩模的硅片放置在刻蚀气体气氛中进行反应离子刻蚀，再经超声水洗，得到具有锯齿状结构的高效绒光面。所述制备方法操作简单的，成本较低，适合大规模生产；制备得到的陷光绒面性能较好。

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