基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料

基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料，属于电磁波全矢量传输调控器件技术领域，本发明包括衬底介质基片和设置于衬底介质基片表面的金属结构层，所述金属结构层上周期性排列有M*N个结构相同的谐振单元，M和N为自然数且M≥2，N≥2，其特征在于，每个谐振单元由两个开口和金属臂长度均不同的谐振器结合构成，谐振器依据下述条件确定：在单个谐振器仿真状态下，第一个谐振器具有三个谐振峰，第二个谐振器具有两个谐振峰；在两个谐振器结合的状态下，谐振单元具有四个谐振峰；所述谐振峰为透过率低于‑15dB的信号峰。本发明利用微纳制造技术加工，相对于利用离子刻蚀、电光晶体等结构实现太赫兹反射式极化器，本发明结构简单、体积小、加工成本低、可控精度高。

《基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料》是一发明专利，专利号为 2016106591305，当前法律状态为已下证，由电子科技大学提出申请，发明人为兰峰;杨梓强;史宗君;石明磊，公开（公告）日期为2019-02-05，国际专利分类号（IPC）为 H01Q15/00(2006.01)I，代理机构为成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：太赫兹传感、成像、通信、滤波、科研、电子设备。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料，属于电磁波全矢量传输调控器件技术领域，本发明包括衬底介质基片和设置于衬底介质基片表面的金属结构层，所述金属结构层上周期性排列有M*N个结构相同的谐振单元，M和N为自然数且M≥2，N≥2，其特征在于，每个谐振单元由两个开口和金属臂长度均不同的谐振器结合构成，谐振器依据下述条件确定：在单个谐振器仿真状态下，第一个谐振器具有三个谐振峰，第二个谐振器具有两个谐振峰；在两个谐振器结合的状态下，谐振单元具有四个谐振峰；所述谐振峰为透过率低于‑15dB的信号峰。本发明利用微纳制造技术加工，相对于利用离子刻蚀、电光晶体等结构实现太赫兹反射式极化器，本发明结构简单、体积小、加工成本低、可控精度高。

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